كرېمنىي كاربون (SiC) ساپال پاراشوكيۇقىرى تېمپېراتۇرا كۈچى ، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ، يۇقىرى ئۇپراشقا چىداملىق ۋە ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ، كىچىك ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى ، يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، خىمىيىلىك مۇقىملىقى قاتارلىق ئەۋزەللىكلەرگە ئىگە ، شۇڭلاشقا ئۇ دائىم كۆيۈش ئۆيى ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا گاز چىقىرىش قاتارلىقلاردا ئىشلىتىلىدۇ. ئۈسكۈنىلەر ، تېمپېراتۇرىغا چىداملىق ياماق ، ئايروپىلان ماتورى زاپچاسلىرى ، خىمىيىلىك رېئاكسىيە پاراخوتلىرى ، ئىسسىقلىق ئالماشتۇرۇش تۇرۇبىسى ۋە باشقا مېخانىكىلىق زاپچاسلار ناچار شارائىتتا بولۇپ ، كەڭ قوللىنىلغان ئىلغار قۇرۇلۇش ماتېرىيالى.ئۇ تەرەققىي قىلىۋاتقان يۇقىرى تېخنىكىلىق ساھەدە (ساپال ماتور ، ئالەم كېمىسى قاتارلىقلار) موھىم رول ئويناپلا قالماي ، يەنە ھازىرقى ئېنېرگىيە ، مېتاللورگىيە ، ماشىنا ، قۇرۇلۇش ماتېرىياللىرىدا تەرەققىي قىلدۇرىدىغان كەڭ بازار ۋە قوللىنىشچان ساھەگە ئىگە. ، خىمىيىلىك سانائىتى ۋە باشقا ساھەلەر.

تەييارلاش ئۇسۇللىرىكرېمنىي كاربون پاراشوكىئاساسلىقى ئۈچ باسقۇچقا بۆلۈشكە بولىدۇ: قاتتىق باسقۇچ ئۇسۇلى ، سۇيۇق باسقۇچ ئۇسۇلى ۋە گاز باسقۇچى ئۇسۇلى.

1. قاتتىق باسقۇچ ئۇسۇلى

قاتتىق باسقۇچ ئۇسۇلى ئاساسلىقى كاربون ئىسسىقلىقىنى ئازايتىش ئۇسۇلى ۋە كرېمنىي كاربون بىۋاسىتە ئىنكاس ئۇسۇلىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.كاربوننى ئازايتىش ئۇسۇللىرى يەنە Acheson ئۇسۇلى ، تىك ئوچاق ئۇسۇلى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىنى ئۆزگەرتىش ئۇسۇلىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.كرېمنىي كاربون پاراشوكىدەسلەپكى قەدەمدە Acheson ئۇسۇلى ئارقىلىق تەييارلانغان بولۇپ ، كوكۇس ئارقىلىق يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا (تەخمىنەن 2400 ℃) كىرىمنىي ئوكسىدنى ئازايتقان ، ئەمما بۇ ئۇسۇل ئارقىلىق ئېرىشكەن پاراشوكنىڭ زەررىچە چوڭلۇقى (> 1mm) بولۇپ ، نۇرغۇن ئېنېرگىيە سەرپ قىلىدۇ ، بۇ جەريانمۇ مۇرەككەپ.ئالدىنقى ئەسىرنىڭ 80-يىللىرىدا ، تىك ئوچاق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئايلاندۇرغۇچ قاتارلىق β-SiC پاراشوكىنى بىرىكتۈرۈشنىڭ يېڭى ئۈسكۈنىلىرى بارلىققا كەلدى.مىكرو دولقۇنلۇق ئوچاق بىلەن خىمىيىلىك ماددىلارنىڭ قاتتىق ۋە ئۈنۈملۈك پولىمېرلىشىشى تەدرىجىي ئايدىڭلىشىشىغا ئەگىشىپ ، مىكرو دولقۇنلۇق ئوچاق ئارقىلىق سىك پاراشوكىنى بىرىكتۈرۈش تېخنىكىسى كۈنسېرى پىشىپ يېتىلدى.كرېمنىي كاربون بىۋاسىتە ئىنكاس قايتۇرۇش ئۇسۇلى يەنە ئۆزلۈكىدىن تارقىلىدىغان يۇقىرى تېمپېراتۇرا بىرىكمىسى (SHS) ۋە مېخانىكىلىق قېتىش ئۇسۇلىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.SHS نى ئازايتىش بىرىكمە ئۇسۇلى SiO2 بىلەن Mg ئارىسىدىكى تاشقى ئىسسىقلىق رېئاكسىيەسىنى ئىشلىتىپ ، ئىسسىقلىقنىڭ كەملىكىنى تولۇقلايدۇ.Theكرېمنىي كاربون پاراشوكىبۇ ئۇسۇل ئارقىلىق ئېرىشىلگەن ساپلىق دەرىجىسى ۋە كىچىك زەررىچە چوڭلۇقى بار ، ئەمما مەھسۇلاتتىكى Mg نى چىلاش قاتارلىق كېيىنكى جەريانلار ئارقىلىق ئېلىۋېتىش كېرەك.

2 سۇيۇق باسقۇچ ئۇسۇلى

سۇيۇقلۇق فازا ئۇسۇلى ئاساسلىقى يالغۇز گېلى ئۇسۇلى ۋە پولىمېرلىق ئىسسىقلىق پارچىلىنىش ئۇسۇلىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.سول گېلى ئۇسۇلى مۇۋاپىق مىقداردا ئېرىتىش جەريانىدا Si ۋە C بولغان گېلىنى تەييارلاش ، ئاندىن پىرولىز ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق كاربون ئىسسىقلىق مىقدارىنى تۆۋەنلىتىش ئارقىلىق كرېمنىي كاربونغا ئېرىشىش ئۇسۇلى.ئورگانىك پولىمېرنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا پارچىلىنىشى كرېمنىي كاربون تەييارلاشتىكى ئۈنۈملۈك تېخنىكا: بىرى گېلى پولىسىلوكاننى قىزىتىش ، پارچىلىنىش رېئاكسىيەسى كىچىك مونومونلارنى قويۇپ بېرىش ، ئاخىرىدا SiO2 ۋە C نى ھاسىل قىلىش ، ئاندىن كاربوننى ئازايتىش ئارقىلىق SiC تالقىنى ھاسىل قىلىش.يەنە بىرى ، پولىسلان ياكى پولىككاربوسلاننى قىزىتىپ كىچىك مونومونلارنى قويۇپ ئىسكىلىت ھاسىل قىلىپ ، ئاخىرىدا شەكىللىنىدۇ.كرېمنىي كاربون پاراشوكى.

3 گاز باسقۇچى ئۇسۇلى

ھازىر ، گاز باسقۇچىنىڭ بىرىكىشىكرېمنىي كاربونساپال ئۇلترا بىنەپشە پاراشوك ئاساسلىقى گاز فازا چۆكمىسى (CVD) ، پلازما كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغان CVD ، لازېر نۇرلۇق CVD ۋە باشقا تېخنىكىلارنى ئىشلىتىپ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئورگانىك ماددىلارنى پارچىلايدۇ.ئېرىشىلگەن پاراشوكنىڭ ساپلىقى يۇقىرى ، زەررىچە كىچىكلىكى ، زەررىچىلەرنىڭ يىغىلىشى ۋە زاپچاسلارنى ئاسان كونترول قىلىش ئەۋزەللىكى بار.ئۇ ھازىر بىر قەدەر ئىلغار ئۇسۇل ، ئەمما تەننەرخى يۇقىرى ۋە مەھسۇلات مىقدارى تۆۋەن بولغاچقا ، تۈركۈملەپ ئىشلەپچىقىرىشنى ئەمەلگە ئاشۇرۇش ئاسان ئەمەس ، شۇنداقلا ئالاھىدە تەلەپتىكى تەجرىبىخانا ماتېرىياللىرى ۋە مەھسۇلاتلىرىنى ياساشقا تېخىمۇ ماس كېلىدۇ.

نۆۋەتتە ،كرېمنىي كاربون پاراشوكىئىشلىتىلىدۇ ئاساسلىقى سۇ ئاستى پاراخوتى ، ھەتتا نانو دەرىجىلىك پاراشوك ، چۈنكى پاراشوك زەررىچىسى كىچىك ، يەر يۈزى پائالىيىتى يۇقىرى ، شۇڭا ئاساسلىق مەسىلە پاراشوكنىڭ ئاسان يىغىلىپ قېلىشىدا ، پاراشوكنىڭ يۈزىنى ئۆزگەرتىش ئارقىلىق ئالدىنى ئېلىش ياكى چەكلەش كېرەك. پاراشوكنىڭ ئىككىلەمچى توپلىنىشى.ھازىر ، SiC پاراشوكىنى تارقىتىش ئۇسۇللىرى ئاساسلىقى تۆۋەندىكى تۈرلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: يۇقىرى ئېنېرگىيىلىك يۈزنى ئۆزگەرتىش ، يۇيۇش ، پاراشوكنى تارقاق داۋالاش ، ئانئورگانىك سىرنى ئۆزگەرتىش ، ئورگانىك سىرنى ئۆزگەرتىش.